MOCVD生长GaN/GaMnN多层结构的磁学性质研究
本文主要研究了MOCVD生长GaMnN单层结构和GaN/GaMnN多层结构的磁学性质。两种结构的样品在室温下均显示铁磁性。更重要的是,同相同制备条件下的GaMnN单层结构的样品相比,虽然GaN/GMnN多层结构的饱和磁化强度略低,但是多层结构在经过高温热处理后具有很好的磁学热稳定性。从器件角度考虑,这对于在制备包含GaMnN材料器件的工艺过程例如p-型激活、欧姆接触合金过程等具有重要指导意义。同时,我们发现经过热处理后,GaN/GaMnN多层结构的矫顽力增大了三倍左右。我们通过结合结构性质,对产生这种现象的机制进行了讨论。
稀磁半导体 铁磁性 磁学性质 单层结构 磁化强度 金属有机物 化学气相沉积 多层结构
杨学林 陈志涛 祝文星 王存达 杨志坚 张国义
北京大学人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京大学物理学院,北京 100871,中国
国内会议
广州
中文
49-52
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）