高质量无应变InAlN/GaN异质结材料研究

摘要：

采用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)的方法外延生长了InAlN/GaN异质结材料,研究了In组分与生长温度、生长压力和Ⅴ/Ⅲ比的关系,外延生长出无应变的17％In组分InAlN材料。采用XRD、反射光谱、TEM和AFM等手段对材料进行测试分析。实现了InAlN/GaN异质结室温下二维电子气浓度2.6×10 13cm-2、迁移率1150 cm2/V·s、方块电阻210Ω/□。本文是国内对InAlN/GaN异质结材料的首次报道。

关键词： 金属有机物 化学气相沉积 异质结材料 外延生长 电子气浓度

作者: 刘波 尹甲运 李佳 冯志宏 冯震 蔡树军

作者单位: 专用集成电路国家级重点实验室,石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 54-57

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）