TaC坩埚制备及在AlN单晶生长中的应用

摘要：

采用物理气相传输法(PVT法)生长AlN体单晶的温度高达2200℃,生长过程中存在腐蚀性Al蒸汽,对所用坩埚材料的稳定性和寿命要求极高。TaC具有高熔点、耐腐蚀和性质稳定等优点,是PVT法生长AlN晶体的理想坩埚材料。本文研究了高温碳化处理Ta坩埚制备TaC坩埚的工艺技术,分析了TaC坩埚的组分均匀性、碳化过程和机理,探讨了制备优质TaC坩埚和延长坩埚使用寿命的途径。

关键词： 单晶生长 物理气相传输法 坩埚材料 碳化处理

作者: 杨俊 董志远 胡炜杰 段满龙 赵有文

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京市912信箱,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 58-61

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）