InN薄膜的分子束外延生长及其p型掺杂
本文利用分子束外延方法,存MOCVD生长的GaN模板上生长出高质量、超甲坦的In极性InN薄膜,10μm×10μm见方的表面平整度(rms)值约为1μm。在此基础上,利用金属Mg作为p型掺杂剂进行了p型掺杂的研究工作。实验上发现了高Mg掺杂下的极性反转行为,观察到Mg掺杂对InN薄膜的晶体质量和发光性质的显著影响,通过测试不同Mg掺杂组分下InN的光荧光谱得到了Mg在InN的激活能,通过电化学CV的方法证明了p型InN的存在并得到p型InN的掺杂范围。
分子束外延 外延生长 表面平整度 p型掺杂 极性反转 发光性质 氮化铟薄膜
王新强 吉川明彦
北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871 千葉大学大学院工学研究科人工系统科学專攻,千葉,日本
国内会议
广州
中文
142-145
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）