InN薄膜变温光致发光与光学吸收研究
利用变温吸收光谱、光致荧光谱,对采用MOCVD(金属有机物气相沉淀法)制备的InN薄膜的光学性质进行了研究。 吸收光谱和光致发光谱的结果表明高质量InN薄膜的光学带隙宽度为0.69eV附近,与现阶段丰要报道值O.7eV一致。变温吸收光谱验证了InN带隙随温度升高的收缩效应。通过对变温光致发光光谱的S型变化的分析,证明低温下材料中的杂质导致的局域态载流子参与了光学跃迁,而随温度升高光学跃迁机制发生转变。拟合得到不同载流了浓度下的局域化能量分别为5.05meV和5.58meV,载流子浓度增加使杂质电子相瓦作用增强,导致局域化能量增大。
氮化铟薄膜 吸收光谱 光致发光谱 载流子局域化 金属有机物 气相沉淀法 光学性质
张曾 张荣 谢自力 刘斌 修向前 陆海 韩平 郑有炓
江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏 南京 210093
国内会议
广州
中文
150-153
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）