离子注入AlN单晶的荧光谱分析

摘要：

对自成核生长的(0001)AlN单晶进行了高浓度Si、Zn离子注入掺杂。利用阴极荧光(CL)和光荧光(PL)谱分析了单晶的缺陷和发光特性。PL结果显示离子注入后AlN的带边发光峰变为位于200nm～254nm之间的宽峰,高温退火后注入产生的损伤缺陷消失,荧光强度显著增大,说明大量注入的杂质原子成为替位原子。CL结果表明一个位于457nm峰与Al空位有关。霍尔测试表明退火后样品的电阻率仍很高,说明杂质在AlN单晶中的电学激活效率较低。

关键词： 离子注入 氮化铝 自成核生长 单晶生长 荧光谱分析 发光特性 荧光强度

作者: 李巍巍 赵有文 董志远 杨俊 胡炜杰

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京912信箱,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 154-157

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）