氮化镓结型器件的EBIC和CL研究
本文利用扫描电子显微镜(SEM)、电子束感生电流(EBIC)以及阴极荧光(CL)技术对氮化镓(GaN)基肖特基、PIN结型器件的截面进行了系统的测试分析。通过对EBIC的数据拟合得到不同GaN材料层的少了扩散长度。P区GaN中少子扩散长度为0.1μm左右,N区GaN中少子扩散长度约为0.6μm,非故意掺杂GaN中少子扩散长度大于1μm。通过对同一位置获得的SEM、EBIC、CL图像的比较,发现耗尽区的EBIC电流信号最强,而CL荧光信号较弱,二者信号强度大小呈互补关系。根据耗尽区的内建电场模型对这种现象做出很好的解释。
氮化镓 电子束感生电流 阴极荧光 少子扩散长度 结型器件 荧光信号
刘文宝 孙苋 江德生 赵德刚 刘宗顺 张书明 朱建军 段俐宏 杨辉
中科院半导体研究所 集成光电子学国家重点联合实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215125
国内会议
广州
中文
158-161
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）