基于光子晶格结构的InGaN/GaN系发光器件
本文综合报道我们近年来将光子晶格结构运用于InGaN/GaN量子阱发光器件即激光器和发光二极管的研究成果。我们发展了几种独特的在GaN系材料系发光器件上制备光子晶格结构的技术；运用电注入器件的显微电致发光以及扫描近场光学,探索了这些光子晶格结构对发光器件的效应。我们利用聚焦离子束刻蚀技术成功地实现了以GaN准一维光子晶体为腔镜面的InGaN/GaN脊型和条形激光二极管；同时,针对发光二极管出光光强低下的普遍难题,分别采用了包括微纳结构压印、图形化激光剥离以及大面积多孔阳极氧化铝纳米图形转移等技术,研制成功基于光子晶格结构的InGaN/GaN量了阱发光二极管,使出光强度得到了不同程度的改进。
氮化镓 光子晶格 发光二极管 激光二极管 量子阱 电致发光 微纳结构
章蓓 康香宁 代涛 包魁
北京大学物理学院和人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871
国内会议
广州
中文
174-177
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）