In0.2Ga0.8N化合物肖特基太阳电池
本文制备了一个Au/Pt/In0.2Ga0.8N肖特基原型太阳电池。采用热电子发射(TE)模型和热电子场发射(TFE)模型拟合了肖特基的正向电流-电压曲线,结果显示两种模型计算所得到的肖特基势垒高度和理想因子非常相近,表明所制备的In0.2Ga0.8N肖特基的电流输运机制主要体现为热电子发射。当采用功率密度为300mW/cm2的氙灯照射时,In0.2Ga0.8N肖特基太阳电池呈现出的开路电压为0.91伏,短路电流密度为7 mA/cm2,填充因子为O.45,功率转换效率为0.95％。
化合物半导体 肖特基 太阳电池 热电子发射 电流输运 输运机制
薛俊俊 赵红 陈敦军 谢自力 张荣 郑有炓
江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093
国内会议
广州
中文
186-189
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）