GaN基LED外延片表面处理对器件漏电流的影响
通过研究分析GaN基发光二极管(LED)电极制作前用王水处理外延片表面对LED器件I-V特性曲线的影响,发现适当Ⅰ-Ⅴ的王水处理会使得Ni/Au电极与p-GaN的欧姆接触性能更好,但是太长时间的王水处理,会导致LED器件的漏电流明显增大。对LED外延片表面在王水处理前和处理后的原子力显微镜扫描中,发现王水处理会使得外延片表面的V形坑尺寸扩大。经过分析发现,透明电极中金属原子沿着穿透位错管道的扩散是造成漏电流增加的一个主要原因。P-GaN表面V形坑的扩大,会导致透明电极中的金属原子更容易通过表面V形坑扩散进位错管道中,从而形成电流通道,对LED器件的电学性能、寿命等造成不利的影响。
漏电流 穿透位错 发光二极管 外延片 表面处理 接触性能 透明电极 电学性能
王良吉 张书明 杨辉
中国科学院半导体研究所,集成光电子国家重点实验室,北京 100083
国内会议
广州
中文
190-193
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）