GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的研究进展

摘要：

在化合物半导体电子器件中,高电子迁移率晶体管(HEMT)是应用于高频大功率场合最主要的器件形式。基于GaN及相关Ⅲ族氮化物材料(AlN、InN)的HEMT则是目前研究最火热的化合物半导体电子器件,是第三代半导体技术领域发展和竞争的焦点。从输出功率和频率的角度,GaN HEMT非常适合无线通信基站、雷达、汽车电子等高频大功率应用；在航空航天、核工业、军用电子等对化学稳定性和热稳定性要求很高的应用场合,GaN HEMT也是理想的候选器件之一。自问世到现在GaN HEMT器件经历了十几年的研究,进展迅速、成果丰富,但即便是已有初步商用器件的今天,该领域仍有大量的科学问题,表现出“需求超前于技术,技术超前于科研”的特点。进入本世纪以后,GaN HEMT的材料结构以AlGaN/GaN异质结为主,器件工艺和热处理手段基本成熟。

关键词： 迁移率晶体管 电子迁移率 化合物半导体 电子器件 异质结 氮化镓

作者: 郝跃 张金风

作者单位: 宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安电子科技大学微电子学院,西安 710071

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 194

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）