应力AlGaN/GaN异质结构中AlGaN势垒层的相对介电常数

摘要：

在应力Al0.3Ga0.7N/GaN异质结构材料上制备了Ni肖特基接触。利用测得的电容-电压曲线和光电流谱,通过自治求解薛定谔方程和泊松方程,分析计算了AlGaN势垒层的相对介电常数。结果发现我们计算所得的AlGaN势垒层的介电常数不同与之前所报道的结果。

关键词： 异质结构材料 相对介电常数 电压曲线 势垒层 肖特基 薛定谔方程 泊松方程

作者: 赵建芝 林兆军 吕元杰 张宇 王占国

作者单位: 山东大学物理学院,济南 250100 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 236-239

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）