外电场对AlN/GaN双量子阱中子带间跃迁的影响

摘要：

通过薛定谔-泊松方程的自恰求解,计算了外电场对AlN/GaN耦合双量子阱中子带间跃迁吸收系数和子带间距的影响。当外电场作用在AlN/GaN耦合双量子阱上时,基态到第二激发态(1奇-2奇)的了带间跃迁吸收系数能够变为零。这种现象归因于外电场使得这两个态的对称性恢复。同时,随着外电场的变化,1奇-2奇以及1偶-2奇的子带间距有不同的变化趋势。这是因为极化在左阱与右阱中引起了不同的电势降落。这些结果表明尽管在AlN/GaN耦合双量子阱中存在很强的极化电场,仍能实现一种工作于光通信波段的电光凋制器。

关键词： 耦合双量子阱 电光调制器 子带间跃迁 第二激发态 电势降落 极化电场 光通信

作者: 岑龙斌 沈波 秦志新 张国义

作者单位: 北京大学物理学院,人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 240-243

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）