AlXGa1-XN/GaN异质结构中二维电子气的自旋光电流效应

摘要：

GaN基宽禁带半导体作为第三代半导体材料是目前国际半导体科学与技术研究的前沿,在自旋电子学领域的研究也正受到越来越多的重视。本文利用自旋光电流效应(CPGE)对AlxGa1-xN/GaN异质结构中二维电子气(2DEG)的自旋性质进行了研究,主要包括该体系中CPGE的物理机制,对称破却引起的能带Rashba自旋分裂以及由逆自旋霍尔效应(RSHE)形成的涡旋状反常CPGE电流。

关键词： 异质结构 自旋轨道耦合 逆自旋霍尔效应 光电流效应 宽禁带半导体 物理机制 氮化镓 自旋性质

作者: 贺小伟 沈波 陈涌海 尹春明 张琦 许福军

作者单位: 北京大学物理学院,人工微结构和介观物理国家重点实验室,北京 100871 中国科学院半导体研究所材料物理开放实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 244-247

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）