AlXGa1-XN/GaN异质结中的Rashba自旋劈裂

摘要：

通过自恰求解薛定谔方程和泊松方程,可以得到沿c轴生长的AlxGa1-xN/GaN异质结中的导带底的形状,同时得出电子分布以及所有束缚态。我们发现电子占据前两个子带并且得到可观的第一、二了带Rashba自旋劈裂(在费米能级处)。我们研究了Rashba自旋劈裂随Al组分变化关系,并且讨论了电子对第二子带的战据对第一子带Rashba劈裂的影响。结果表明,Rashba自旋劈裂随Al组分增加很快,说明由压电极化和自发极化导致的内建电场对Rashba自旋劈裂至关重要。这些结果可能对自旋电子器件的设计有重要意义。

关键词： 自旋劈裂 压电极化 自发极化 自恰计算 异质结 薛定谔方程 泊松方程

作者: 李明 张荣 谢自力 修向前 张曾 严文生 刘斌 郑有炓

作者单位: 江苏省光电信息功能材料重点实验室,南京大学物理系,南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 248-251

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）