GaN/BST单片集成紫外红外双色探测器的研制
本文采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)在蓝宝石上生长宽带隙半导体GaN和磁控溅射BST热释电薄膜,实现了一种单片集成紫外红外双色探测器。紫外探测部分采用GaN系金属-半导体-金属(MSM)器件结构,红外探测采用钛酸锶钡(BST)热释电电容结构,二者用多孔SiO2实现热隔离。制作了紫外红外双色集成探测器测试单元和1×32和1×64线列线列器件。测试单元器件紫外和红外有源区面积均为500×500μm2,紫外探测部分峰值波长360nm,截止波长370nm,响应度0.08A/W：BST薄膜热释电系数为1×10-6Ccm-2K-1,红外热释电探测部分电压响应率为9.14V/W,黑体探测率D*为4.37×105cm·Hz1/2·W-1。
双色探测器 单片集成 金属有机物 化学气相淀积 宽带隙半导体 磁控溅射 热释电薄膜
李献杰 赵永林 齐丽芳 尹顺政 蔡道民 吴传贵 张万里 李言荣
中国电子科技集团公司第13研究所,石家庄 050051 电子科技大学,成都 610054
国内会议
广州
中文
256-258
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）