MOCVD外延生长a面GaN薄膜及其面内各向异性研究

摘要：

本文使用MOCVD直接外延r面宝石衬底得到非极性a面GaN薄膜。高分辨X射线衍射发现薄膜晶体结构的面内各向异性,利用倒易空间法获得”0001”方向和”1100”方向横向关联长度分别为41.9nm和14.8nm,解释了而内各向异性的一个原因,在这两个方向N原子的悬挂键数目的差异导致了Ga原子这两个方向上的扩散长度不同是面内各向异性的另一个重要原因。AFM结果显示a面GaN薄膜表面较平整,表面粗糙度均方根仪为3.9nm,表面沿”0001”方向起伏的条纹再次验证了a面GaN的面内各向异性。

关键词： 薄膜晶体 晶体结构 氮化镓薄膜 各向异性 倒易空间法 金属有机物 化学气相淀积

作者: 李弋 谢自力 刘斌 傅德颐 张荣 郑有炓

作者单位: 江苏省光电功能材料重点实验室,南京大学物理系,江苏南京 210093

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 260-263

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）