激光剥离对于GaN外延材料应力的影响

摘要：

GaN外延层与蓝宝石衬底问的品格系数和热膨胀系数失配导致了GaN/sapphire结构应力的产生。GaN外延层表面处的应力可以由拉曼光谱表示。在拉曼光谱中,GaN/sapphire结构样品A,电镀后样品B以及激光剥离后样品c较之于无应力状态下的GaN薄膜的E2模式均向高频方向移动,这表明样品中应力的增加。与此同时,样品C的FwHM较之于样品A,B显著加宽,而且样品C中A1(LO)峰消失,这说明样品C中的位错缺陷显著增加。

关键词： 氮化镓 外延层 拉曼光谱 激光剥离 外延材料 品格系数 热膨胀系数

作者: 樊晶美 王良臣 刘志强

作者单位: 中国科学院半导体照明研发中心,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 97-100

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）