利用侧向湿法腐蚀Al InN牺牲层技术构造GaN微腔

摘要：

本文报道了一种新的利用侧向湿法腐蚀AlInN牺牲层技术制备GaN微腔的方法。我们采用金属有机化学气相外延(MOCVD)技术在监宝石和自支撑的GaN衬底上生长一层100nm的AlInN牺牲层,再生长180nm的GaN层,利用湿法腐蚀GaN和AlInN合金具有高的选择比的特性,通过侧向湿法腐蚀AlInN层实现衬底剥离。同时结合干法刻蚀技术以及绝缘体介质材料沉积技术成功制备出了直径为501am,上下为双介质分布布拉格反射镜(DBR)结构的GaN微腔。

关键词： 氮化镓 侧向湿法腐蚀 绝缘体 介质材料

作者: 熊畅 Robert W.Martin 章蓓 康香宁 代涛 张国义 Ian M. Watson Erdan Gu Martin D. Dawson Paul R.Edwards

作者单位: 北京大学物理学院和人工微结构及介观物理国家重点实验室,北京 100871 英国Strathclyde大学光学所,格拉斯哥,G4 0NW

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 101-103

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）