深紫外LED结构设计和外延生长

摘要：

本文报告了对深紫外LED中量子结构的第一性原理模拟与设计,提高载流子的复合几率和注入效率。首次提出并应用了Mg-和Si-δ共掺入超晶格结构于p型AlGaN,有效地提高了空穴浓度。通过生长氛围的优化、生长极性的控制、失配应力的释放、二维生长的控制等MOVPE各项工艺摸索,掌握了较高质量AlN和高Al组分AlGaN外延生长技术,己制备出厚度超过1000nm不开裂、表面较粗糙度小于1nm的外延片。外延生长了完整结构深紫外LED实现了主波长从213nm到300nm电致发光。

关键词： 外延生长 第一性原理 模拟设计 量子结构 注入效率 超晶格 空穴浓度 发光二极管

作者: 康俊勇 李书平 杨伟煌 李金钗 陈航洋 刘达艺

作者单位: 厦门大学教育部微纳光电子材料与器件工程研究中心,福建省半导体材料及应用重点实验室,厦门 361005

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 107-109

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）