GaN基纳米柱LED的制备

摘要：

以自组织的Ni纳米岛做掩膜在LED外延片上成功制备出了直径在100-300nm之间,高度为700nm左右LED纳米柱结构,并对纳米柱进行了结构和发光性质方面的一些测试。测试结果表明纳米柱的PL强度是平面结构的4倍,相对于刻蚀之前,纳米柱的PL发光峰发生蓝移并且峰值半高宽(FWHM)有所降低。用化学腐蚀的方法对纳米柱进行了去损伤处理,发现去损伤后纳米柱的PL强度进一步增强,为处理前的3.5倍。最后用旋涂工艺对纳米柱进行了平坦化,进一步制作成为GaN纳米LED器件。

关键词： 化学腐蚀 发光二极管 氮化镓 纳米材料 平面结构 旋涂工艺

作者: 朱继红 张书明 王辉 江德生 朱建军 刘宗顺 赵德刚 杨辉

作者单位: 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,苏州 215123

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 110-113

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）