激光剥离N极性面GaN的表面粗糙化研究
结合制备功率型GaN基发光二极管(LED)的具体要求,为提高GaN基LED的出光效率提供切实可行的技术方案,通过激光剥离技术(LLO)获得了具有N极性面的GaN材料,利用KOH溶液和反应离子刻蚀的方法在N极性的GaN上获得了粗糙化的表面,构成粗糙化表面的晶粒密度和体积决定了GaN表面的粗糙化程度,晶粒的形貌与N极性面的晶体质量和晶面取向有关,研究了租糙化表面形貌与刻蚀条件的关系,分析了其形成机理和决定因素,指出粗糙化表面上的晶粒起源于GaN材料中的缺陷,粗糙化程度和表面形貌与刻蚀的条件密切相关。
激光剥离 氮化镓 发光二极管 表面粗糙化 出光效率 表面形貌
康香宁 魏伟 易业文 方浩 代涛 章蓓 张国义
北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室,北京 100871
国内会议
广州
中文
114-117
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）