利用氟基等离子注入对AlGaN/GaN HEMT阈值电压的控制技术：从常开器件到常关器件
近年来,我们发明了在氮化异质结场效应管中利用氟离子注入进行电势和电荷调制的技术,该技术为获得理想器件性能以及制造理想结构的集成电路开拓了无数机遇。氟等离子注入技术最深远的意义在于它提供了具有低开肩电阻和高击穿电压的自对准常断氮化镓高电子迁移率场效应管的可行的实施方法。 本论文对氟等离子注入技术进行全面的概述。将着重讨论以下几个方面：1)基本物理机制； 2)详细的器件特性描述；3)在射频/微波电路、高温数字电路和电力电子中的应用；4)氟离子在氮化物半导体中的可靠性。
阈值电压 常关器件 常断器件 化合物半导体 等离子注入 异质结 场效应管
陈敬
香港科技大学电子及计算机工程系
国内会议
广州
中文
124-129
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）