高性能半绝缘4H-SiC衬底AlGaN/GaN HEMT研制
文中利用南京电了器件研究所的MOCVD设备在半绝缘4H-SiC衬底外延生长了AlGaN/GaN异质结,运用该材料研制了8GHz输出功率密度10.52W/mm的HEMT器件。非接触霍尔测试表明经过优化的AlGaN/GaN异质结材料中的二维电子气(2DEG)面密度为1.0×10 12cm-2、迁移率达188cm2/V·s。在该材料上研制了栅长0.35μm带场板的AlGaN/GaN HEMT,小信号测试表明器件fT为31.6GHz、最高振荡频率fmax为36.8GHz。研制的1mm栅宽器件8GHz、45V工作电压下饱和输出功率10.52W,功率增益和功率附加小率分别为7.62dB和45.8％。
电子迁移率 晶体管 电流崩塌 输出功率 异质结 振荡频率 半绝缘衬底
任春江 李忠辉 焦刚 钟世昌 董逊 薛舫时 陈辰 陈堂胜
南京电子器件研究所,单片集成电路与模块国家重点实验室,南京 210016
国内会议
广州
中文
130-133
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）