优化场板GaN HEMT沟道电子温度分布抑制电流崩塌
基于带场板GaN HEMT器件物理模型和电流崩塌效应机理,通过仿真优化场板结构参数凋制沟道中二维电了气温度分布,以达到抑制器件电流崩塌目的。研究表明,优化场板长度及绝缘层厚度能有效降低沟道电子峰值温度。对于外加源漏电压为100V,栅长0.5μm栅漏间距2μm的GaN HEMT器件,获得了场板长度与绝缘层厚度优值分别为1μm和0.5μm,其沟道电子峰值温度比无场板时下降了47％。并研究确定了场板长度优值与栅漏距以及绝缘层厚度与漏压的数学关系模型。此成果可为无电流崩塌的场板结构GaN HEMT器件设计提供理论指导。
沟道电子温度 电流崩塌 物理模型 崩塌效应 场板结构 数学模型 迁移率晶体管
杜江锋 罗大为 罗谦 卢盛辉 于奇 杨谟华
电子科技大学微电子与固体电子学院,电子薄膜与集成器件国家重点实验室,成都,610054
国内会议
广州
中文
134-137
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）