脉冲缓冲层对蓝宝石衬底上生长的AlN位错密度的影响
在蓝宝石衬底上采用交替通铝源和氨气的方法生长的100周期的AlN作为缓冲层,随后外延生长AlN薄膜。X射线衍射结果表明AlN外延层中的位错密度大大降低。通过透射电镜观察位错在样品中的形貌,发现在缓冲层和外延层之间存在明显的界面。界面之上的位错通过形成位错环互相湮灭或者直接终断于界面,使得在外延层中大量减少。研究表明,位错环的形成是由于在外延层的生长过程中侧向生长速率增加导致位错在镜像力的作用下互相吸引造成的。而位错在界面处的终断则被认为是由于界面上下应变发生变化引起的。
化合物半导体 氮化铝薄膜 透射电镜 位错密度 脉冲缓冲层 外延生长
桑立雯 秦志新 方浩 代涛 杨志坚 沈波 张国义 张小平 俞大鹏
北京大学介观物理和人工微结构国家重点实验室 北京大学宽禁带半导体研究中心,北京 100871 北京大学电镜室,北京 100871
国内会议
广州
中文
275-278
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）