InP基共振遂穿二极管(RTD)研究

摘要：

我们在实验中对InGaAs/AlAs/InP共振遂穿二极管(RTD)材料结构进行了优化设计,并用MBE设备在(100)半绝缘InP单晶片上生长了RTD外延材料。我们采用电子束光刻工艺和空气桥互连技术,制作了InP基RTD器件。并在室温下测试了器件的电学特性：峰值电流密度24.6kA/cm2,峰谷电流比(PVCR)为8.6。并通过MATLAB软件对器件Ⅰ-Ⅴ测试曲线进行了数值拟合,拟合结果与实验数据吻合的很好。

关键词： 共振遂穿二极管 优化设计 外延材料 电子束光刻 光刻工艺 空气桥互连 电学特性

作者: 韩春林 薛舫时 高建峰 陈辰

作者单位: 单片集成电路和模块国家级重点实验室 南京电子器件研究所,南京 210016

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 282-285

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）