带有复合式集电区的超高速InP/InGaAs DHBT
为了消除InP/InGaAs DHBT BC之间的导带势垒尖峰,抑制电流阻挡效应,我们设计了一种含InGaAsP复合式集电区结构的InP DHBT。利用传统三台面工艺和BCB平坦化工艺,制作的发射极尺寸1.6×15μm2的DHBT,其电流增益截止频率(ft)达到了242GHz,击穿电压(BVceo)超过5V。最大电流密度达到了2.1mA/μm2,这是国内已知的电流增益截止频率最高的HBT器件。这种高速,高电流密度和高击穿电压的InP DHBT器件,非常适合于超高速数字电路的应用。
复合式集电区 电流阻挡效应 数字电路 磷化铟 双极晶体管 击穿电压
程伟 金智 苏永波 刘新宇
中科院微电子研究所,北京 100029
国内会议
广州
中文
286-289
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）