功率PHEMT器件大信号建模
提出一种新的、可同时适用于GaAs、GaN基pHEMT/HEMT/HFET器件大、小信号等效电路模型。沟道电流模型方程连续、可导,可精确拟合实际器件正、反向区、截止区,以及亚阀值区特性；且漏导精确。主结构跨导至少可精确拟合至3阶。电荷方程在实现连续、高阶可导、且导数精确的基础上,满足电荷守恒规律。模型综合考虑了器件弱雪崩击穿,以及热效应特性,对器件跨导频率分布效应也作了灵活的考虑。模型以Verilog-A语言描述,并开发为DesignKit形式嵌入ADS2005A中。给出了对-GaAs基pHEMT器件建模结果,从大、小信号测量和仿真对比结果来看,模型已有较好精度,可供实用。
等效电路 电路模型 沟道电流 热效应特性 弱雪崩击穿 功率器件 场效应晶体管
刘军 孙玲玲 吴颜明
杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室,杭州 310037
国内会议
广州
中文
294-300
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）