宽带可调谐激光器与电吸收调制器的单片集成

摘要：

光网络正在向高速大容量、良好的扩展性和智能化的方向发展。宽带可调谐器件以及组件将是构建智能光网络的基石。 宽带可调谐半导体激光器由于具有可单片集成性、纳秒级的调谐速度、体积小、功耗低等优点,备受关注。本文采用低压金属有机物化学汽相淀积(MOCVD)选择区域外延和量子阱混杂技术相结合的方法,研制了宽带可调谐激光器和电吸收调制器的单片集成器件,输出功率3.6mW器件的波长调谐范围达30nm,边模抑制比大于30dB,在整个调谐范围内电吸收调制器的消光比大于14dB。

关键词： 可调谐激光器 电吸收调制器 量子阱混杂 外延生长 光网络 半导体激光器

作者: 赵玲娟 刘泓波 潘教青 周帆 边静 朱洪亮 王圩

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料重点实验室,北京 10083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 317-320

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）