宽光谱范围、高响应度的InGaAs/InP光电探测器
本文报道了一种适用于0.6μm～1.65μm波段使用的InGaAs/InP光电探测器。该探测器使用的是外延在InP衬底上的InGaAs材料,探测器结构采用PIN结构通过选择性扩散的方法制作,通过调整掩模尺寸和控制扩散条件,可以制备出具有不同光敏面尺寸及光电特件的探测器。封装后光电探测器在0.6μm～1.0μm波段的响应度大于0.2A/W。其中,在1.0μm到1.65μm波段的响应度超过0.8A/W。5V偏压下的暗电流小于2nA。经过老化测试实验,探测器的寿命可以超过10万个小时,器件的可靠性和稳定性已经达到商用标准。由于出色的工艺稳定性和器件性能的一致性,该探测器可做成适用于多通道甚短距离光传输用的探测器阵列。
宽光谱响应 响应度 平面结构 光电探测器 探测器阵列 器件性能
归强 裴为华 陈弘达
中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点实验室,北京 100083
国内会议
广州
中文
321-323
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）