基于InGaAs/InP SHBT技术的10 Gb/s单片跨阻放大器研究

摘要：

本文介绍了采用传统的三台面工艺、利用湿法选择腐蚀形成发射极-基极自对准的InGaAs/InP单异质结双极形晶体管(SHBT)技术实现传输速率为10Gb/s跨阻放大器。其中SHBT获得了在1c=10Ma,Vce-2v时,fT和fMAX分别为60、75GHz,电流密度为100KA/cm2,击穿电压>3v；跨阻放大器的跨阻增益为58dBQ、灵敏度为-23dBm、3dB带宽为8.2GHz.该单片跨阻放大器可广泛的应用于光纤通讯。

关键词： 单异质结 双极性晶体管 隔离基极压点 跨阻放大器 湿法选择腐蚀 传输速率 光纤通讯

作者: 蔡道民 李献杰 赵永林 曾庆明 刘跳

作者单位: 中国电子科技集团公司第十三研究所 河北 石家庄 050051

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 328-331

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）