双声子共振有源区GaAs/AlGaAs量子级联激光器

摘要：

量子级联激光器的器件性能在很大程度上取决于有源区结构的设计,有源区结构设计的两个关键因素是激光跃迁高能态电子的有效注入和低能态电子的有效抽取。对于后者本文利用四阱耦合结构在GaAs/AlGaAs量子级联激光器有源区形成双声子共振的电子驰豫机制并进一步通过优化粒子数反转条件和波导结构,获得了波长11.3μm(频率26.5 THz)的量子级联激光器83 K温度下峰值功率超过100 mW的激射。此项工作的成功为THz波段量了级联激光器的研究打下坚实的基础。

关键词： 量子级联激光器 等离子体波导 器件性能 激光跃迁 耦合结构 电子驰豫 双声子共振

作者: 刘俊岐 李路 刘峰奇 王利军 王占国

作者单位: 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 342-345

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）