高特征温度P型掺杂1.3μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器
为了研制输出与温度无关可直接调制的1.3微米光通信系统光源,我们生长并制作了P型掺杂1.3 μm五层InAs/GaAs量子点结构激光器。条宽2.5μm、腔长1200μm的边发射激光器在室温脉冲条件下测得的激射波长为1325nm,阈值电流为13mA,输出功率达到30mW以上。为了研究器件的热稳定性,我们测试了器件在10℃-90℃温度范围内阈值电流密度随温度的变化情况。 1200μm腔长的激光器在10℃-60℃范围内的特征温度达到246K,表明对有源区进行P型调制掺杂有利于量子点激光器温度特性的提高。
量子点 P型掺杂 量子点激光器 光通信 温度特性
季海铭 曹玉莲 杨涛 马文全 曹青 陈良惠
中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京 100083
国内会议
广州
中文
346-349
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）