非掺杂LEC-InAs单晶的残留杂质与电学性能研究

摘要：

非有意掺杂InAs单晶均呈N型电导,自由电子浓度可达3×1016cm-3以上。有关非掺InAs单晶中的施主杂质、缺陷及其产生规律的尚不清楚。本文利用辉光放电质谱(GDMS)定量分析了LEC法生长的InAs单晶的残留杂质,结合Hall测量、Raman散射和红外吸收等研究了施主杂质的来源和缺陷对材料性质的影响。

关键词： 砷化铟 单晶生长 电学性能 液封直拉 辉光放电质谱

作者: 胡炜杰 赵有文 孙文荣 段满龙 董志远 杨俊

作者单位: 中国科学院半导体研究所,北京912信箱,100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 378-381

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）