第二类锑化镓(GaSb)量子点对2DEG低温输运寿命和量子寿命的影响研究
利用分子束外延生长方法我们制备了两组样品,一组为含有自组织生长GaSb量子点的GaAs/AlGaAs调制掺杂高电子迁移率结构。另一组为不含量子点的调制掺杂高电子迁移率参照结构。通过对这两组样品的低温(4.2K)输运特性的研究,即量子Hall测量和shubnikov-de Haas(SDH)震荡实验,我们拟合得出每种样品的输运寿命、量子散射寿命、以及两种散射寿命的比值等参数。通过系统改变栅压,我们研究了每种结构中不同载流子浓度对输运寿命和量子散射寿命的影响。实验还针对Gasb量子点在”110”和”1-10”两个方向存在的结构不对称性，研究了量子点对二维电子气（2DEG）在这两个方向上散射影响的各向异性。
二维电子气 量子点 低温输运 输运寿命 量子寿命 分子束外延 外延生长 锑化镓
李国栋 江潮
国家纳米科学中心,北京 100190
国内会议
广州
中文
382-385
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）