p型N掺杂ZnO薄膜的MOCVD生长与电学性质
本文报道了通过采用O2与N2O按照一定的流量比作为反应气源,利用MOCVD方法实现了较低电阻率的N掺杂ZnO薄膜。本文的实验分别研究了改变O2与N2O流量比和改变衬底温度对于薄膜电学性质的影响,并利用Raman光谱与Hall测试结果的比较分析了MOCVD系统中非故意掺杂碳元素及其相关杂质对薄膜的作用。本文的实验结果和讨论为解决ZnO的p型掺杂难题提供了一条途径。要在未热处理的条件下实现掺氮ZnO薄膜的p型导电,精确调节O2与N2O流量比和生长温度至关重要,MOCVD制备方法始终存在晶体质量与氮掺入效率的矛盾,而本文有关生长条件的摸索其实就是寻找一个氮代氧位有效受主含量和碳相关施主杂质补偿作用的平衡点。
氧化锌薄膜 金属有机物 化学气相沉积 p型氮掺杂 电学性质 晶体质量
汤琨 顾书林 朱顺明
南京微结构国家实验室,南京大学物理系,南京 210093
国内会议
广州
中文
391-394
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）