ZnO半导体纳米线/PVA复合结构的制备及其紫外发光特性

摘要：

本文采用高纯锌粉氧化工艺在常压、盲口石英舟及生长温度600℃时得到,形貌一致、产额高的ZnO半导体纳米线粉；将该ZnO半导体纳米线粉分散在PVA中并通过热聚合形成了ZnO半导体纳米线/PVA复合结构膜。研究表明PVA不仅仅为ZnO半导体纳米线提供了隔离和支撑,而且光致发光结果显示这种复合结构膜不仅仅具有较强的紫外带边发射特性,同时由于聚合物的表面钝化作用使得由纳米线表面缺陷引起的深能级辐射发光峰得到抑制。这种半导体复合膜还具有易于移植、可图形化的工艺特点,因此对ZnO半导体纳米线光电器件的制作与开发具有重要价值。

关键词： 纳米线 聚合物复合膜 紫外带边发光 化合物半导体 紫外发光特性 光电器件

作者: 贺永宁 张雯 崔吾元 崔万照 王东 朱长纯 侯洵

作者单位: 西安交通大学电子与信息工程学院,710049 西安交通大学理学院,710049 中国空间技术研究院西安分院空间微波技术国家重点实验室 西安交通大学电子与信息工程学院,710049 西安交通大学理学院,710049

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 400-403

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）