ZnO/GaN异质发光二极管的电致发光
利用等离子体协助分子束外延方法在p-GaN衬底上生长n-ZnO薄膜,制备出n-ZnO/p-GaN异质结,在室温下的电致发光光谱上观测到位于430nm的宽且强的发射带,被归结为来自GaN与Mg受主相关的缺陷发光；为改善发光性能,通过插入绝缘层,制备了n-ZnO/i-ZnO/p-GaN和n-ZnO/i-MgO/p-GaN异质pn结构,结果显示ZnO或MgO绝缘层能有效地抑制电子向P型GaN层的注入,导致ZnO激活层的载流子复合几率增加,ZnO层的发光得到增强。通过进一步调节器件结构,可望在这种p-i-n异质结构的材料中实现新型的紫外发光器件和激光器。
电致发光 发光二极管 分子束外延法 异质结 氧化锌薄膜
吕有明
深圳大学材料学院,深圳 518060
国内会议
广州
中文
404-407
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）