脉冲激光沉积法在p型GaAs衬底上制备ZnO同质结发光二极管

摘要：

通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩散与退火形成。Ⅰ-Ⅴ曲线显示出较好的整流特性。室温正偏压下实现了可见光中心位置为500nm的电致发光。同时,也讨论了电致发光的起源。

关键词： 氧化锌 同质结 发光二极管 脉冲激光沉积 整流特性 电致发光

作者: 赵涧泽 孙景昌 梁红伟 冯秋菊 边继明 胡礼中 张贺秋 赵子文 杜同国

作者单位: 大连理工大学物理与光电工程学院,大连 116024

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 408-411

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）