会议专题

高效背照明Zn0基紫外探测器及FPA成像阵列的研制

本文分别采用射频溅射和激光分子束外延制备了ZnO及Mg0.2Zn0.8O薄膜:利用X射线衍射、光致发光谱、透射光谱、X射线能谱、扫描电子显微镜、以及高能电子衍射等测试于段,研究了不同的生长条件和退火处理方法对ZnO薄膜光电性能的影响;对ZnO紫外探测器的工作机理进行了探讨,通过对薄膜生长条件和退火工艺的优化,使制备出的ZnO MSM紫外光电导探测器的探测性能得到了很大的提高;在此基础上提出了背照式ZnO紫外探测阵列的初步构想,并做了有益的探索工作,取得了良好的进展,为下一步完全实现ZnO紫外焦平面成像探测器的制备打下了很好的基础。制备得到的单个垂直结构ZnO探测单元的光电探测性能良好,光电灵敏度达到1616 A/w;光电响应的上升时间和恢复时间分别为71.2 ns和377μs;另外,在ZnO探测器阵列的制备方面也做了初步尝试,制备出,16×16的探测器面阵,单个探测单元的尺寸为50×50μm2。我们通过蒸发结合光刻法和电镀法分别制备了线度为30μm×30μm的16×16的凸点阵列。并对两种制备方法做了比较,在分析了制得的凸点的质量后,认为经过改进的蒸发结合光刻法可以制得高质量的阵列凸点。

氧化锌薄膜 紫外探测 背照明 焦平面成像阵列 射频溅射 分子束外延 光电性能

张景文 侯洵 毕臻 边旭明 刘颖 李高明

西安交通大学陕西省信息光子技术重点实验室,西安,710049 西安交通大学-中国科学院半导体研究所信息功能材料与器件联合实验室,西安,710049 中国科学院西安光学精密机械研究所,西安,710068

国内会议

第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

广州

中文

414-420

2008-11-30(万方平台首次上网日期,不代表论文的发表时间)