Zn1-zMgzO合金的MOCVD生长及其紫外探测器的研究
以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所生长的Zn1-xMgxO/sapphire为衬底,我们制备M-S-M结构的紫外探测器,在特定的偏压下,Ti/Zno基紫外探测器在380nm具有最高响应度0.14A/W,Ni/Mg0.36Zn0.64O基深紫外探测器在327nm具有最高响虑1.9×104A/W,并且其在紫外波长的峰值响应度均比见光450nm处的响应度高出两个数量级。
紫外探测器 峰值响应度 合金薄膜 金属有机物 化学气相沉积
单正平 顾书林 朱顺明
南京微结构国家实验室和南京大学物理系,南京 210093
国内会议
广州
中文
429-432
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）