Mg含量对p型MgZnO性能的影响

摘要：

利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长出未掺杂和氮(N)掺杂MgZnO合金薄膜。研究了Mg含量对MgZnO的电子结构。 N掺杂浓度和N受主能级的影响规律和机制。发现随Mg含量的增加,MgZnO的带隙增宽,价带顶缓慢下移,但导带底快速上移；Mg含量的增加提高了N在MgZnO中的固溶度和N受主的离化能。利用第一原理计算给出产生这些影响的物理机制。通过优化生长方法和技术,制备出具有较好电学性能的N掺杂p型MgZnO合金薄膜。

关键词： p型掺杂 半导体薄膜 分子束外延 合金薄膜 固溶度 物理机制 电学性能

作者: 姚斌 李永峰 盖延琴 魏志鹏 申德振

作者单位: 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所,中国科学院激发态重点实验室,长春 130033

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 433-435

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）