射频磁控溅射制备MgzZn1-zO薄膜
(0) 目前对ZnO的紫外探测器研究比较多,尤其是目盲区探测(4.4-5.6eV),而MgxZn1-xO六方相的合金薄膜具有在3.3eV-5.0eV可调节,所以有必要制备和研究日盲区段的MgxZn1-xO薄膜。采用射频磁拧溅射用x=0.00-0.45的MgxZn1-xO陶瓷靶在硅(100)和石英衬底上生长MgxZn1-xO薄膜。采用X射线衍射谱(XRD)、透射谱和光电导谱对样品进行表征。结果表明用MgxZn1-xO薄膜在x≤325时具有单一(002)取向的六方结构,其禁带宽度Eg随x增加而增加,在薄膜表面在入射光能量大于禁带宽度时有光电响应,并且在x=0.325时得到了禁带宽度在4.9eV的MgxZn1-xO薄膜。在x>0.325时出现立方相结构,禁带宽度有所减少,说明此时已为混相薄膜。
透射谱 光电导 紫外探测器 射频磁控溅射 混相薄膜 禁带宽度 光电响应
邬小鹏 孙利杰 钟泽 徐小秋 林碧霞 傅竹西
中国科学与技术大学物理系,合肥 230026
国内会议
广州
中文
436-439
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）