Ga和Mn共掺ZnO薄膜的结构和光学特性
我们研究了高质量的Ga、Mn共掺ZnO外延薄膜的电子、结构特性,这些薄膜通过MOCVD沉积在宝石(0001)面上。 结果显示单Mn掺杂时的样品呈现高阻P型,Ga和Mn共掺时呈现n型,而载流了浓度出现一个最大值,随后随着Ga的掺杂量增人而下降,反映了高浓度掺杂Ga会出现Ga代O位的补偿效应。光致发光潜(PL)带边和吸收谱发生红移,并且衍射峰向大角度偏移,可能Ga的掺杂会导致带隙变窄；应用第一性原理软件对Ga、Mn共掺的ZnO体系的电子结构进行理论计算,结果表明共掺杂样品相比单Mn掺杂的ZnO体现出了半金属特性。
氧化锌薄膜 化合物半导体 稀磁半导体 半金属薄膜 光学特性 金属有机物 化学气相沉积
吴孔平 顾书林 朱顺明
南京大学物理系,微结构国家实验室,中国南京 210093
国内会议
广州
中文
453-456
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）