Ag-S共掺杂ZnO薄膜的光电性质研究
氧化锌的p型掺杂是其器件化的关键问题。为解决这一难题,本文首次在实验上通过Ag-S共掺杂存Si基片上来制备出p型ZnO薄膜。XRD和SEM测试表明,所得样品为c轴高度取向,且表面平整致密的ZnO薄膜。XPS测试证实了Ag、S的有效掺入。 通过对Ag3d的窄区扫描图分析发现样品中存在AgZn-nSo复合缺陷。低温PL谱测试观测到了与该复合缺陷有关的A°X发射。计算得到其受主能级离价带顶158meV,这比AgLn受主能级浅许多,表明Ag、S共掺能较好地解决Ag掺杂的深受主问题。在此基础上制备了n-ZnO/ZnO:(Ag,S)同质结,室温Ⅰ-Ⅴ测试表明,该结有良好的整流特性,证实Ag、S共掺的ZnO薄膜是p型电导。
复合缺陷 同质结 光电性质 氧化锌薄膜 p型掺杂
孙利杰 邬小鹏 徐小秋 林碧霞 傅竹西
中国科学技术大学物理系 安徽 合肥 230026
国内会议
广州
中文
469-472
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）