退火对Co掺杂ZnO薄膜电磁性能的影响
采用磁控溅射技术,制备了Co掺杂ZnO薄膜,然后将样品分别在O2和N2气氛下,以不同的温度进行退火处理；用X射线衍射图分析薄膜的结构,采用四探针法测量薄膜的方块电阻,利用振动样品磁强计测量薄膜的磁性能。结果表明,样品在退火温度较低(<300℃)的时候,电阻稍有下降；当温度升高到400℃时,电阻大幅度上升,而且O2气氛下退火的比N2气氛下退火的升高幅度大得多。同一温度下,样品在O2气氛下退火的最大磁化强度比在N2气氛下退火的要低；同一退火气氛下,样品的最人磁化强度随退火温度的升高而降低。我们认为,这是由于不同气氛和温度下退火时,薄膜中氧空位浓度发生变化,从而导致其电磁性能的差异。
磁控溅射 氧化锌薄膜 电磁性能 退火处理 方块电阻
陈吉星 朱德亮 李清华 马晓翠 贾芳 曹培江 吕有明
深圳大学材料学院,深圳市特种功能材料重点实验室,深圳 518060
国内会议
广州
中文
478-482
2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）