AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaN HEMT结构材料生长及性能表征

摘要：

本文设计了一种具有双AlN插入层的AlGaN/AlNa/GaN/AlNb/GaNHEMT结构材料,用以提高沟道对二维电子气的限制作用、改善材料的电学性能。采用MOCVD技术生长了该结构,重点研究了第一AlNb插入层的生长时间对材料表而形貌和电学性能的影响,得到了最佳的AlNb生长时间介于：15s～20s之间。对AlNb生长时间为15s的样品进行了变温Hall测试,其二维电子气迁移率在80K时达8849cm2/Vs,室温下为1967cm2/Vs,面密度始终保持在1.02×1013 cm-2左右,几乎不随温度改变。用非接触式方块电阻测试系统测得该样品的方块电阻值为278.3Ω/□,不均匀性为1.95％,说明双AlN插入层的引入对提高HEMT结构材料的电学性能作用明显。

关键词： 异质结构 插入层 电学性能 迁移率晶体管

作者: 肖红领 王占国 侯洵 王晓亮 张明兰 马志勇 王翠梅 杨翠柏 唐健 冉军学 李晋闽

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083 中国科学院半导体研究所材料开放重点实验室,北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 220-224

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）