SiC衬底氮化镓基HEMT结构材料与器件

摘要：

使用金属有机物化学气相外延(MOCVD)技术在2英寸半绝缘6H碳化硅衬底上生长了AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)材料。2英寸HEMT外延片平均方块电阻为305.3Ω/square,不均匀性为3.85％。使用此材料研制的单管2毫米栅宽HEMT,其饱和漏极电流为1.36A/mm。跨导为460 mS/mm。利用内匹配技术对2个2mm栅宽器件进行了合成,输入信号频率8GHz,脉冲下输出功率为34.1W,功率增益为6.1dB,功率附加效率为37.3％。

关键词： 氮化镓 功率器件 金属有机物 化学气相外延 子迁移率 晶体管 漏极电流

作者: 王晓亮 陈堂胜 唐健 肖红领 王翠梅 李晋闽 王占国 侯洵

作者单位: 中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室 南京电子器件研究所,南京 210016 中国科学院半导体研究所材料科学中心,北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京 100083 中国科学院半导体材料科学重点实验室,中国科学院半导体研究所,北京 100083 中国科学院半导体研究所-西安交通大学信息功能材料与器件联合实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 199-203

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）