AlGaN/GaN异质结场效应晶体管夹断电压与阈值电压的关系

摘要：

本文我们首先通过AlGaN/GaN HFET栅源间的C-V曲线求出沟道的二维电子气浓度,然后利用C-V曲线的积分曲线求出阈值电压,进而通过薛定谔方程和泊松方程的自洽求解验证了当栅肖特基栅金属所加偏压为开启电压时,费米能级EF与异质界面处GaN导带底重合,最后我们利用薛定谔方程和泊松方程的自治计算,求解出了AlGaN/GaN HFET夹断电压,然后进一步验证得到了夹断电压和阈值电压的关系。

关键词： 薛定谔方程 泊松方程 自治求解 夹断电压 阈值电压 场效应晶体管 异质结

作者: 吕元杰 林兆军 赵建芝 张宇 王占国

作者单位: 山东大学物理学院,济南 250100 中国科学院半导体研究所半导体材料科学重点实验室,北京 100083

会议类型: 国内会议

会议名称: 第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议

会议地点: 广州

会议语种:中文

页码: 204-207

在线出版日期: 2008-11-30（万方平台首次上网日期，不代表论文的发表时间）